不同基片对单量子点单光子荧光发射的调控

采用时间相关单光子计数原理搭建荧光寿命测量光学系统,实验验证了单量子点发射荧光的单光子性。针对石英玻片、硅片、金膜等不同基片上多处具有单光子荧光发射特性的单量子点,对其发射荧光的寿命进行了测量、对比,计算了不同基片上单量子点发射荧光的衰减速率、量子产率等与量子点到基片有效距离的相关性,解释了实验数据。此外,分析了石英玻片、硅片、金膜上单量子点发射荧光的闪烁行为,结果表明不同基片对单量子点单光子荧光的闪烁与衰减速率具有调控作用。     

组合降采样极限学习机

设计了一种针对不平衡数据集的学习机,即组合降采样极限学习机(EUS ELMs)。当训练数据集不平衡时,普通分类器对少数样本的分类敏感性较低,而给予多数样本过度关注。针对这种问题,将组合降采样结构与极限学习机(ELM)结合起来,形成一种新的组合学习机。该学习机继承了组合降采样结构对样本选择的依赖性小的优点,和极限学习机分类效率高、耗时短的优势,而且可以通过不同的参数设置控制对少数样本的关注度,根据使用者需求获得不同分类效果。     

CMOS单片光接收机的带宽设计

设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的光电集成接收机.给出了DPD小信号电路模型和单片集成光接收机的带宽设计方法,给出限制DPD和光接收机带宽的重要因素,分析和模拟了这个光电集成接收机的带宽,用低成本的0.6μm CMOS工艺设计出1.71GHz带宽和49dB跨阻增益的接收机,并给出测试结果.     

负阻异质结晶体管的模拟与实验

采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流Ic与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSPICE模拟软件建立电路网表模型,代入推导出的IC-VCE公式进行模拟,模拟结果与器件的测量结果十分接近.     

单向载流子传输光电探测器模拟

用Atlas软件对单向载流子传输光电探测器(uni-traveling-carrier photodetector,UTC-PD)进行了模拟,研究了器件的基本工作原理,着重讨论了器件性能与外延层结构的关系.设计出的UTC-PD可同时具有高的响应度(≥0.18A/W)和宽的3dB带宽(≥100GHz).与传统的pin光电探测器相比简化了前端电路结构,降低了噪声,节约了成本,可以应用于超高速光互联.     

GaAs基RTD与MSM光电集成

报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.     

基于光纤激光传感器的双频超声测量

提出一种基于分布布拉格反射式(DBR)光纤激光传感器用于液体环境中的双频超声测量系统。选用3MHz和7MHz的双频超声信号,通过改变调频指数,获得了四种不同情况下DBR光纤激光器的频谱输出,与理论分析相一致。结果证明,DBR光纤激光传感器可以用来检测双频超声信号。     

功率晶体管建模现状及特性研究

功率晶体管建模是PA设计的基础,其精度直接决定了PA设计的成败问题。研究功率晶体管建模的发展现状,将有助于把握该技术的变革特点和未来发展趋势,具有极其重要的意义。通过文献调研,文章总结了功率晶体管模型的发展现状及其中一些有待解决的问题,为未来的研究指明了方向。